东芝新空调全年能耗达6.2 追求低耗电 —万维家电网
发布时间：2026-07-10 16:42:19 作者：玩站小弟 
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我要评论芝开利Toshiba Carrier）公布了全年能耗效率APF：annual performance factor）更高的家用空调“BDR系列”。额定制冷量4.0kW的“RAS-402BDR”的APF
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芝开利（Toshiba Carrier）公布了全年能耗效率（APF：annual performance factor）更高的东芝调全低耗电万电网家用空调“BDR系列”。额定制冷量4.0kW的新空“RAS-402BDR”的APF为6.2。工作期间耗电量为1293kWh，耗达与该公司10年前的追求同种机型“RAS-406BDR”相比，耗电量减少约34％。东芝调全低耗电万电网制冷量为2.2kW（约9.7m2）～7.1kW（约37.3m2）。新空价格为开放式，耗达该公司预计价格在19～35万日元左右，追求4.0kW型号预计在25万日元左右。东芝调全低耗电万电网预定2007年12月起依次上市。新空
一般在计算APF和期间耗电量时，耗达与高输出功率下的追求额定运行时间相比，低输出功率下的东芝调全低耗电万电网中等能力运行时间更长。所以要想提高数值，新空就需要进一步提高中等能力运行时的耗达效率。因此，此次主要改进了两个方面。一个方面是把作为压缩机马达驱动用开关元件使用的Super Junction结构的MOSFET设计成模块。将3个MOSFET和3个IGBT制成一个功率模块。通过集成在带有散热板的封装内，将封装的热阻抗降至一半。另外，该功率模块由飞兆半导体生产。原来采用的方法是将作为离散部件分别封装的开关元件用螺钉固定在散热板上。
该公司在原产品GDR系列等部分空调中，作为开关元件采用了Super Junction结构的MOSFET（源极、栅极和漏极垂直排列的纵向型MOSFET的一种）。其优点是导通电阻比IGBT小0.19mΩ，与合适的开关电路相组合，可以提高中等能力运行时的效率。原来仅100V电源型号采用了Super Junction结构的MOSFET，此次，200V电源型号也采用了这种MOSFET。通过扩大适用产品范围，降低了元件的成本。目前正考虑将其应用于出口空调等产品上。不过，比如在欧洲，基于COP（根据高输出功率下的效率来计算）的评价很一般，很多地区和领域对中等能力运行时的效率并未给予积极评价。看来要想得到广泛应用还需要时间。
另一方面，还改进了双转子压缩机气缸。一般制冷剂通过吸入口供给到压缩机气缸内，经过压缩后传递给热交换器。此次，将气缸的高度（厚度）设计为比原产品薄14％，为12mm。通过追求气缸的薄型化、减小了密封圈的宽度，从而减少了制冷剂的泄漏以及与轴承间产生的摩擦损耗。另外，通过将制冷剂吸入口的直径由12mm增大到16mm，降低了吸入损耗。在实现气缸的薄型化时，遇到了两个课题：(1)由于形状复杂、容易产生形变等，难以加工，(2)吸入口安装在气缸上，如果不能确保安装高度，吸入口的直径就会变小。因此，此次不再将吸入口直接安装在气缸上，并加厚了气缸间的间隔板，将吸入口配置在了间隔板上。制冷剂的流经路径在间隔板内部沿上下气缸分开。虽然减薄后的气缸容易产生形变，但通过在加厚的间隔板表面上提高精度，并在上面安装吸入口便可以确保整体的精度。
不使用滤网而实现空气净化功能
作为附加功能，增加了“可与单体的空气净化功能相当”的空气净化功能（解说员）。空调内部配备的离子发生装置使花粉及灰尘帯电，然后被热交换器捕获收集。该公司从以前的机型开始，就在热交换器的铝散热片上实施树脂涂布工艺，从而实现了以下功能——在制冷运行或用来清洁内部的“清洁运行”时，使空气中的水在散热片上结霜，然后利用这些水洗去油垢、灰尘等，并作为污水排出。此次通过增加离子发生装置，提高了集尘能力，并实现了无需滤网的集尘功能。由于不采用滤网，无需清洁、避免了压力损耗，并且几乎不影响空调的效率。
异味通过空调所配备的换气风扇排出。空调上配备了光学式的“灰尘传感器”和使用半导体气体传感器的“异味传感器”。另外，选择“空清换气”模式，可以利用上述传感器判断室内空气的清洁度，并自动启动空气净化功能。空气净化功能消耗的电费为每日3日元。
一般在计算APF和期间耗电量时，耗达与高输出功率下的追求额定运行时间相比，低输出功率下的东芝调全低耗电万电网中等能力运行时间更长。所以要想提高数值，新空就需要进一步提高中等能力运行时的耗达效率。因此，此次主要改进了两个方面。一个方面是把作为压缩机马达驱动用开关元件使用的Super Junction结构的MOSFET设计成模块。将3个MOSFET和3个IGBT制成一个功率模块。通过集成在带有散热板的封装内，将封装的热阻抗降至一半。另外，该功率模块由飞兆半导体生产。原来采用的方法是将作为离散部件分别封装的开关元件用螺钉固定在散热板上。
该公司在原产品GDR系列等部分空调中，作为开关元件采用了Super Junction结构的MOSFET（源极、栅极和漏极垂直排列的纵向型MOSFET的一种）。其优点是导通电阻比IGBT小0.19mΩ，与合适的开关电路相组合，可以提高中等能力运行时的效率。原来仅100V电源型号采用了Super Junction结构的MOSFET，此次，200V电源型号也采用了这种MOSFET。通过扩大适用产品范围，降低了元件的成本。目前正考虑将其应用于出口空调等产品上。不过，比如在欧洲，基于COP（根据高输出功率下的效率来计算）的评价很一般，很多地区和领域对中等能力运行时的效率并未给予积极评价。看来要想得到广泛应用还需要时间。
另一方面，还改进了双转子压缩机气缸。一般制冷剂通过吸入口供给到压缩机气缸内，经过压缩后传递给热交换器。此次，将气缸的高度（厚度）设计为比原产品薄14％，为12mm。通过追求气缸的薄型化、减小了密封圈的宽度，从而减少了制冷剂的泄漏以及与轴承间产生的摩擦损耗。另外，通过将制冷剂吸入口的直径由12mm增大到16mm，降低了吸入损耗。在实现气缸的薄型化时，遇到了两个课题：(1)由于形状复杂、容易产生形变等，难以加工，(2)吸入口安装在气缸上，如果不能确保安装高度，吸入口的直径就会变小。因此，此次不再将吸入口直接安装在气缸上，并加厚了气缸间的间隔板，将吸入口配置在了间隔板上。制冷剂的流经路径在间隔板内部沿上下气缸分开。虽然减薄后的气缸容易产生形变，但通过在加厚的间隔板表面上提高精度，并在上面安装吸入口便可以确保整体的精度。
不使用滤网而实现空气净化功能
作为附加功能，增加了“可与单体的空气净化功能相当”的空气净化功能（解说员）。空调内部配备的离子发生装置使花粉及灰尘帯电，然后被热交换器捕获收集。该公司从以前的机型开始，就在热交换器的铝散热片上实施树脂涂布工艺，从而实现了以下功能——在制冷运行或用来清洁内部的“清洁运行”时，使空气中的水在散热片上结霜，然后利用这些水洗去油垢、灰尘等，并作为污水排出。此次通过增加离子发生装置，提高了集尘能力，并实现了无需滤网的集尘功能。由于不采用滤网，无需清洁、避免了压力损耗，并且几乎不影响空调的效率。
异味通过空调所配备的换气风扇排出。空调上配备了光学式的“灰尘传感器”和使用半导体气体传感器的“异味传感器”。另外，选择“空清换气”模式，可以利用上述传感器判断室内空气的清洁度，并自动启动空气净化功能。空气净化功能消耗的电费为每日3日元。
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